మీ స్థానం జాబితా చేయకపోతే, దయచేసి కిందివాటిలో ఒకదాన్ని ఎంచుకోండి:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

మీ స్థానం జాబితా చేయకపోతే, దయచేసి కిందివాటిలో ఒకదాన్ని ఎంచుకోండి:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. హోమ్
  2. ఉత్పత్తులు
  3. DRAM
  4. LPDDR4X
  5. K4U8E3S4AD-GHCL

Samsung Semiconductor - K4U8E3S4AD-GHCL

KEY Part #: K7359746

[14282pcs స్టాక్]

    పార్ట్ నంబర్:
    K4U8E3S4AD-GHCL
    తయారీదారు:
    Samsung Semiconductor
    వివరణాత్మక వివరణ:
    8 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    అందుబాటులో ఉంది
    షెల్ఫ్ జీవితం:
    ఒక సంవత్సరం
    నుండి చిప్:
    హాంగ్ కొంగ
    RoHS:
    చెల్లింపు పద్ధతి:
    రవాణా మార్గం:
    కుటుంబ వర్గాలు:
    KEY కాంపోనెంట్స్ కో., LTD ఒక ఎలక్ట్రానిక్ కాంపోనెంట్స్ డిస్ట్రిబ్యూటర్, వీరితో సహా ఉత్పత్తి వర్గాలను అందిస్తుంది: LPDDR3, HBM Aquabolt, LPDDR5, DDR3, HBM Flarebolt, SLC Nand, GDDR6 and LPDDR4 ...
    పోటీతత్వ ప్రయోజనాన్ని:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4U8E3S4AD-GHCL electronic components. K4U8E3S4AD-GHCL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4U8E3S4AD-GHCL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4U8E3S4AD-GHCL ఉత్పత్తి లక్షణాలు

    పార్ట్ నంబర్ : K4U8E3S4AD-GHCL
    తయారీదారు : Samsung Semiconductor
    వివరణ : 8 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
    సిరీస్ : DDR3
    సాంద్రత : 8 Gb
    Org. : x32
    స్పీడ్ : 4266 Mbps
    వోల్టేజ్ : 1.8 / 1.1 / 0.6 V
    టెంప్. : -40 ~ 105 °C
    ప్యాకేజీ : 200FBGA
    ఉత్పత్తి స్థితి : Mass Production

    తాజా వార్తలు

    Samsung Announces Production of Industry’s First 2GB LPDDR3 Mobile Memory, Using 30nm-class Technology
    Samsung Begins Mass Production of Industry’s First 12Gb LPDDR5 Mobile DRAM for Premium Smartphones
    Automotive Driven by Small Packages Under the Hood
    The future of NAND technology
    Samsung Now Mass Producing Industry’s First, 20-Nanometer 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM
    How Will 5G Impact on Memory?
    Speed for the next generation of mobile devices
    Driving the Artificial Intelligence Evolution with In-Memory Computing
    Unlocking the Power of Cloud Computing
    Evolving Mobile Solutions: Samsung at MWC 2018
    Samsung Z-SSD SZ985
    The Ultra-Low Latency SSD, Z-SSD
    మీరు కూడా ఆసక్తి కలిగి ఉండవచ్చు
    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43CB2-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    వేడి భాగాలు