వివరణ :
GANFET TRANS 60V 1A BUMPED DIE
టెక్నాలజీ :
GaNFET (Gallium Nitride)
మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది :
60V
ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C. :
1A (Ta)
డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్) :
5V
Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs :
45 mOhm @ 1A, 5V
Vgs (వ) (గరిష్టంగా) @ Id :
2.5V @ 800µA
గేట్ ఛార్జ్ (Qg) (గరిష్టంగా) gs Vgs :
1.15nC @ 5V
Vgs (గరిష్టంగా) :
+6V, -4V
ఇన్పుట్ కెపాసిటెన్స్ (సిస్) (గరిష్టంగా) @ Vds :
115pF @ 30V
శక్తి వెదజల్లడం (గరిష్టంగా) :
-
నిర్వహణా ఉష్నోగ్రత :
-40°C ~ 150°C (TJ)
మౌంటు రకం :
Surface Mount
సరఫరాదారు పరికర ప్యాకేజీ :
Die