ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR16320D-25DBI-TR

KEY Part #: K936914

IS43DR16320D-25DBI-TR ధర (USD) [15374pcs స్టాక్]

  • 1 pcs$3.32344
  • 2,500 pcs$3.30690

పార్ట్ నంబర్:
IS43DR16320D-25DBI-TR
తయారీదారు:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
వివరణాత్మక వివరణ:
IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA. DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 32M x 16 DDR2
Manufacturer's standard lead time:
అందుబాటులో ఉంది
షెల్ఫ్ జీవితం:
ఒక సంవత్సరం
నుండి చిప్:
హాంగ్ కొంగ
RoHS:
చెల్లింపు పద్ధతి:
రవాణా మార్గం:
కుటుంబ వర్గాలు:
KEY కాంపోనెంట్స్ కో., LTD ఒక ఎలక్ట్రానిక్ కాంపోనెంట్స్ డిస్ట్రిబ్యూటర్, వీరితో సహా ఉత్పత్తి వర్గాలను అందిస్తుంది: లాజిక్ - బఫర్లు, డ్రైవర్లు, స్వీకర్తలు, ట్రాన్స్‌స, లాజిక్ - లాచెస్, పిఎంఐసి - విద్యుత్ పంపిణీ స్విచ్‌లు, లోడ్ డ్రైవర్ల, లాజిక్ - స్పెషాలిటీ లాజిక్, క్లాక్ / టైమింగ్ - క్లాక్ జనరేటర్లు, పిఎల్‌ఎల్‌లు,, ఇంటర్ఫేస్ - అనలాగ్ స్విచ్‌లు, మల్టీప్లెక్సర్లు, డె, గడియారం / సమయం - గడియార బఫర్లు, డ్రైవర్లు and లాజిక్ - కౌంటర్లు, డివైడర్లు ...
పోటీతత్వ ప్రయోజనాన్ని:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320D-25DBI-TR electronic components. IS43DR16320D-25DBI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR16320D-25DBI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR16320D-25DBI-TR ఉత్పత్తి లక్షణాలు

పార్ట్ నంబర్ : IS43DR16320D-25DBI-TR
తయారీదారు : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
వివరణ : IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA
సిరీస్ : -
పార్ట్ స్థితి : Active
మెమరీ రకం : Volatile
మెమరీ ఆకృతి : DRAM
టెక్నాలజీ : SDRAM - DDR2
మెమరీ పరిమాణం : 512Mb (32M x 16)
క్లాక్ ఫ్రీక్వెన్సీ : 400MHz
సైకిల్ సమయం వ్రాయండి - పదం, పేజీ : 15ns
ప్రాప్యత సమయం : 400ps
మెమరీ ఇంటర్ఫేస్ : Parallel
వోల్టేజ్ - సరఫరా : 1.7V ~ 1.9V
నిర్వహణా ఉష్నోగ్రత : -40°C ~ 85°C (TA)
మౌంటు రకం : Surface Mount
ప్యాకేజీ / కేసు : 84-TFBGA
సరఫరాదారు పరికర ప్యాకేజీ : 84-TWBGA (8x12.5)

తాజా వార్తలు

మీరు కూడా ఆసక్తి కలిగి ఉండవచ్చు
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • AT28HC256E-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16