పార్ట్ నంబర్ :
IPD60N10S4L12ATMA1
తయారీదారు :
Infineon Technologies
వివరణ :
MOSFET N-CH TO252-3
సిరీస్ :
Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
టెక్నాలజీ :
MOSFET (Metal Oxide)
మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది :
100V
ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C. :
60A (Tc)
డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్) :
4.5V, 10V
Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (వ) (గరిష్టంగా) @ Id :
2.1V @ 46µA
గేట్ ఛార్జ్ (Qg) (గరిష్టంగా) gs Vgs :
49nC @ 10V
ఇన్పుట్ కెపాసిటెన్స్ (సిస్) (గరిష్టంగా) @ Vds :
3170pF @ 25V
శక్తి వెదజల్లడం (గరిష్టంగా) :
94W (Tc)
నిర్వహణా ఉష్నోగ్రత :
-55°C ~ 175°C (TJ)
మౌంటు రకం :
Surface Mount
సరఫరాదారు పరికర ప్యాకేజీ :
PG-TO252-3-313
ప్యాకేజీ / కేసు :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63