పార్ట్ నంబర్ :
SI4833BDY-T1-GE3
తయారీదారు :
Vishay Siliconix
వివరణ :
MOSFET P-CHANNEL 30V 4.6A 8SOIC
టెక్నాలజీ :
MOSFET (Metal Oxide)
మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది :
30V
ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C. :
4.6A (Tc)
డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్) :
4.5V, 10V
Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs :
68 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (వ) (గరిష్టంగా) @ Id :
2.5V @ 250µA
గేట్ ఛార్జ్ (Qg) (గరిష్టంగా) gs Vgs :
14nC @ 10V
ఇన్పుట్ కెపాసిటెన్స్ (సిస్) (గరిష్టంగా) @ Vds :
350pF @ 15V
FET ఫీచర్ :
Schottky Diode (Isolated)
శక్తి వెదజల్లడం (గరిష్టంగా) :
2.75W (Tc)
నిర్వహణా ఉష్నోగ్రత :
-55°C ~ 150°C (TJ)
మౌంటు రకం :
Surface Mount
సరఫరాదారు పరికర ప్యాకేజీ :
8-SOIC
ప్యాకేజీ / కేసు :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)