GeneSiC Semiconductor - GA04JT17-247

KEY Part #: K6397545

కుటుంబ వర్గాలు:: KEY కాంపోనెంట్స్ కో., LTD ఒక ఎలక్ట్రానిక్ కాంపోనెంట్స్ డిస్ట్రిబ్యూటర్, వీరితో సహా ఉత్పత్తి వర్గాలను అందిస్తుంది: డయోడ్లు - జెనర్ - శ్రేణులు, డయోడ్లు - రెక్టిఫైయర్లు - శ్రేణులు, ట్రాన్సిస్టర్లు - ప్రోగ్రామబుల్ యూనిజక్షన్, థైరిస్టర్లు - SCR లు, డయోడ్లు - రెక్టిఫైయర్లు - సింగిల్, ట్రాన్సిస్టర్లు - FET లు, MOSFET లు - శ్రేణులు, థైరిస్టర్లు - DIAC లు, SIDAC లు and ట్రాన్సిస్టర్లు - JFET లు ...

పోటీతత్వ ప్రయోజనాన్ని:: We specialize in GeneSiC Semiconductor GA04JT17-247 electronic components. GA04JT17-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA04JT17-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

పార్ట్ నంబర్ : GA04JT17-247

తయారీదారు : GeneSiC Semiconductor

వివరణ : TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB

సిరీస్ : -

పార్ట్ స్థితి : Active

FET రకం : -

టెక్నాలజీ : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది : 1700V

ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C. : 4A (Tc) (95°C)

డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్) : -

Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs : 480 mOhm @ 4A

Vgs (వ) (గరిష్టంగా) @ Id : -

గేట్ ఛార్జ్ (Qg) (గరిష్టంగా) gs Vgs : -

Vgs (గరిష్టంగా) : -

ఇన్పుట్ కెపాసిటెన్స్ (సిస్) (గరిష్టంగా) @ Vds : -

FET ఫీచర్ : -

శక్తి వెదజల్లడం (గరిష్టంగా) : 106W (Tc)

నిర్వహణా ఉష్నోగ్రత : 175°C (TJ)

మౌంటు రకం : Through Hole

సరఫరాదారు పరికర ప్యాకేజీ : TO-247AB

ప్యాకేజీ / కేసు : TO-247-3

మీరు కూడా ఆసక్తి కలిగి ఉండవచ్చు

FCD3400N80Z

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 800V 2A DPAK.
FCD260N65S3

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 260MOHM TO252.
FCD7N60TM

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.
FCD2250N80Z

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3.
FDD86250

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 150V 8A DPAK.
TK25A60X5,S5X

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS.

వేడి భాగాలు