పార్ట్ నంబర్ :
IXTD1R4N60P 11
టెక్నాలజీ :
MOSFET (Metal Oxide)
మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది :
600V
ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C. :
1.4A (Tc)
డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్) :
10V
Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs :
9 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (వ) (గరిష్టంగా) @ Id :
5.5V @ 25µA
గేట్ ఛార్జ్ (Qg) (గరిష్టంగా) gs Vgs :
5.2nC @ 10V
ఇన్పుట్ కెపాసిటెన్స్ (సిస్) (గరిష్టంగా) @ Vds :
140pF @ 25V
శక్తి వెదజల్లడం (గరిష్టంగా) :
50W (Tc)
నిర్వహణా ఉష్నోగ్రత :
-55°C ~ 150°C (TJ)
మౌంటు రకం :
Surface Mount
సరఫరాదారు పరికర ప్యాకేజీ :
Die