పార్ట్ నంబర్ :
BSM180D12P2C101
తయారీదారు :
Rohm Semiconductor
వివరణ :
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
FET రకం :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET ఫీచర్ :
Silicon Carbide (SiC)
మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది :
1200V (1.2kV)
ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C. :
204A (Tc)
Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs :
-
Vgs (వ) (గరిష్టంగా) @ Id :
4V @ 35.2mA
గేట్ ఛార్జ్ (Qg) (గరిష్టంగా) gs Vgs :
-
ఇన్పుట్ కెపాసిటెన్స్ (సిస్) (గరిష్టంగా) @ Vds :
23000pF @ 10V
శక్తి - గరిష్టంగా :
1130W
నిర్వహణా ఉష్నోగ్రత :
-40°C ~ 150°C (TJ)
సరఫరాదారు పరికర ప్యాకేజీ :
Module