BAS116E6327HTSA1 ధర (USD) [2455275pcs స్టాక్]
- 1 pcs$0.01506
- 3,000 pcs$0.01472
- 6,000 pcs$0.01328
- 15,000 pcs$0.01154
- 30,000 pcs$0.01039
- 75,000 pcs$0.00923
- 150,000 pcs$0.00770
- పార్ట్ నంబర్:
- BAS116E6327HTSA1
- తయారీదారు:
- Infineon Technologies
- వివరణాత్మక వివరణ:
- DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
- Manufacturer's standard lead time:
- అందుబాటులో ఉంది
- షెల్ఫ్ జీవితం:
- ఒక సంవత్సరం
- నుండి చిప్:
- హాంగ్ కొంగ
- RoHS:
- చెల్లింపు పద్ధతి:
-
- రవాణా మార్గం:
- కుటుంబ వర్గాలు:
- KEY కాంపోనెంట్స్ కో., LTD ఒక ఎలక్ట్రానిక్ కాంపోనెంట్స్ డిస్ట్రిబ్యూటర్, వీరితో సహా ఉత్పత్తి వర్గాలను అందిస్తుంది: డయోడ్లు - రెక్టిఫైయర్లు - సింగిల్, ట్రాన్సిస్టర్లు - FET లు, MOSFET లు - శ్రేణులు, డయోడ్లు - జెనర్ - శ్రేణులు, ట్రాన్సిస్టర్లు - IGBT లు - సింగిల్, డయోడ్లు - జెనర్ - సింగిల్, ట్రాన్సిస్టర్లు - ప్రత్యేక ప్రయోజనం, ట్రాన్సిస్టర్లు - JFET లు and థైరిస్టర్లు - TRIAC లు ...
- పోటీతత్వ ప్రయోజనాన్ని:
- We specialize in Infineon Technologies BAS116E6327HTSA1 electronic components. BAS116E6327HTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS116E6327HTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS116E6327HTSA1 ఉత్పత్తి లక్షణాలు
పార్ట్ నంబర్ :
BAS116E6327HTSA1
తయారీదారు :
Infineon Technologies
వివరణ :
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
సిరీస్ :
-
పార్ట్ స్థితి :
Last Time Buy
డయోడ్ రకం :
Standard
వోల్టేజ్ - DC రివర్స్ (Vr) (గరిష్టంగా) :
80V
ప్రస్తుత - సగటు సరిదిద్దబడింది (అయో) :
250mA (DC)
వోల్టేజ్ - ఫార్వర్డ్ (విఎఫ్) (గరిష్టంగా) @ ఉంటే :
1.25V @ 150mA
స్పీడ్ :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
రివర్స్ రికవరీ సమయం (trr) :
1.5µs
ప్రస్తుత - రివర్స్ లీకేజ్ @ Vr :
5nA @ 75V
కెపాసిటెన్స్ @ Vr, F. :
2pF @ 0V, 1MHz
మౌంటు రకం :
Surface Mount
ప్యాకేజీ / కేసు :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
సరఫరాదారు పరికర ప్యాకేజీ :
SOT-23-3
నిర్వహణ ఉష్ణోగ్రత - జంక్షన్ :
150°C (Max)
తాజా వార్తలు
మీరు కూడా ఆసక్తి కలిగి ఉండవచ్చు
-
CSD01060E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE
-
RURD660S9A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V
-
BAS116E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
VS-50WQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A TO252AA. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
-
VS-30WQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 3.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
-
వేడి భాగాలు
- D251N14BXPSA1
- SB350-B
- APD140VD-G1
- LL103C-7
- NSR10F40QNXT5G
- F1857D400
- GP10-4003E-M3/54
- CD0603-B0230
- VS-60CPF12PBF
- 1N3890A
- SSB43LHE3/52T
- ESH2PD-E3/84A
- RP 1HV1
- PMEG2005AEA/DG,115
- SB350S-E3/54
- 1N1205BR
- MR851RL
- EGP50AHE3/54
- 1N4247GPHE3/54
- BYD33JGP-E3/73
- BAS 3020B E6327
- SBL1640
- MUR450PFRLG
- D121K18BXPSA1
- FFPF05U60STTU
- 241NQ045R
- S20420
- 30WQ03FN
- VS-31DQ06
- CDLL1A50
- D170S25BS1XPSA1
- UH2C-M3/52T
- STPSC4H065DI
- RG 2V
- RFN2LAM4STR
- AS3BD-M3/I
- EGL34F-E3/83
- RF08L6STE25
- S3M M6G
- GP10A-E3/54