Infineon Technologies - FZ600R12KS4HOSA1

KEY Part #: K6534402

FZ600R12KS4HOSA1 ధర (USD) [643pcs స్టాక్]

  • 1 pcs$72.25808

పార్ట్ నంబర్:
FZ600R12KS4HOSA1
తయారీదారు:
Infineon Technologies
వివరణాత్మక వివరణ:
MOD IGBT MED PWR 62MM-2.
Manufacturer's standard lead time:
అందుబాటులో ఉంది
షెల్ఫ్ జీవితం:
ఒక సంవత్సరం
నుండి చిప్:
హాంగ్ కొంగ
RoHS:
చెల్లింపు పద్ధతి:
రవాణా మార్గం:
కుటుంబ వర్గాలు:
KEY కాంపోనెంట్స్ కో., LTD ఒక ఎలక్ట్రానిక్ కాంపోనెంట్స్ డిస్ట్రిబ్యూటర్, వీరితో సహా ఉత్పత్తి వర్గాలను అందిస్తుంది: ట్రాన్సిస్టర్లు - బైపోలార్ (బిజెటి) - ఆర్‌ఎఫ్, డయోడ్లు - జెనర్ - శ్రేణులు, డయోడ్లు - వేరియబుల్ కెపాసిటెన్స్ (వరికాప్స్, వరాక్, ట్రాన్సిస్టర్లు - IGBT లు - శ్రేణులు, ట్రాన్సిస్టర్లు - ప్రోగ్రామబుల్ యూనిజక్షన్, డయోడ్లు - రెక్టిఫైయర్లు - సింగిల్, ట్రాన్సిస్టర్లు - JFET లు and డయోడ్లు - జెనర్ - సింగిల్ ...
పోటీతత్వ ప్రయోజనాన్ని:
We specialize in Infineon Technologies FZ600R12KS4HOSA1 electronic components. FZ600R12KS4HOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FZ600R12KS4HOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FZ600R12KS4HOSA1 ఉత్పత్తి లక్షణాలు

పార్ట్ నంబర్ : FZ600R12KS4HOSA1
తయారీదారు : Infineon Technologies
వివరణ : MOD IGBT MED PWR 62MM-2
సిరీస్ : -
పార్ట్ స్థితి : Active
IGBT రకం : -
ఆకృతీకరణ : Single
వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా) : 1200V
ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా) : 700A
శక్తి - గరిష్టంగా : 3900W
Vce (ఆన్) (గరిష్టంగా) @ Vge, Ic : 3.75V @ 15V, 600A
ప్రస్తుత - కలెక్టర్ కటాఫ్ (గరిష్టంగా) : 5mA
ఇన్పుట్ కెపాసిటెన్స్ (Cies) @ Vce : 39nF @ 25V
ఇన్పుట్ : Standard
NTC థర్మిస్టర్ : No
నిర్వహణా ఉష్నోగ్రత : -40°C ~ 125°C
మౌంటు రకం : Chassis Mount
ప్యాకేజీ / కేసు : Module
సరఫరాదారు పరికర ప్యాకేజీ : Module

మీరు కూడా ఆసక్తి కలిగి ఉండవచ్చు
  • GA400TD25S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK.

  • CPV364M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2.

  • CPV363M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2.

  • GA200SA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT UFAST 600V 100A SOT227.

  • GA200SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT STD 600V 100A SOT227.

  • STGE50NB60HD

    STMicroelectronics

    IGBT N-CHAN 600V 50A ISOTOP.