EPC - EPC2007

KEY Part #: K6406612

కుటుంబ వర్గాలు:: KEY కాంపోనెంట్స్ కో., LTD ఒక ఎలక్ట్రానిక్ కాంపోనెంట్స్ డిస్ట్రిబ్యూటర్, వీరితో సహా ఉత్పత్తి వర్గాలను అందిస్తుంది: డయోడ్లు - వంతెన రెక్టిఫైయర్లు, డయోడ్లు - వేరియబుల్ కెపాసిటెన్స్ (వరికాప్స్, వరాక్, డయోడ్లు - రెక్టిఫైయర్లు - సింగిల్, ట్రాన్సిస్టర్లు - IGBT లు - శ్రేణులు, డయోడ్లు - జెనర్ - శ్రేణులు, థైరిస్టర్లు - SCR లు, ట్రాన్సిస్టర్లు - JFET లు and ట్రాన్సిస్టర్లు - బైపోలార్ (బిజెటి) - సింగిల్, ప్ర ...

పోటీతత్వ ప్రయోజనాన్ని:: We specialize in EPC EPC2007 electronic components. EPC2007 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2007, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

పార్ట్ నంబర్ : EPC2007

తయారీదారు : EPC

వివరణ : GANFET TRANS 100V 6A BUMPED DIE

సిరీస్ : eGaN®

పార్ట్ స్థితి : Obsolete

FET రకం : N-Channel

టెక్నాలజీ : GaNFET (Gallium Nitride)

మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది : 100V

ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C. : 6A (Ta)

డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్) : 5V

Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 6A, 5V

Vgs (వ) (గరిష్టంగా) @ Id : 2.5V @ 1.2mA

గేట్ ఛార్జ్ (Qg) (గరిష్టంగా) gs Vgs : 2.8nC @ 5V

Vgs (గరిష్టంగా) : +6V, -5V

ఇన్పుట్ కెపాసిటెన్స్ (సిస్) (గరిష్టంగా) @ Vds : 205pF @ 50V

FET ఫీచర్ : -

శక్తి వెదజల్లడం (గరిష్టంగా) : -

నిర్వహణా ఉష్నోగ్రత : -40°C ~ 125°C (TJ)

మౌంటు రకం : Surface Mount

సరఫరాదారు పరికర ప్యాకేజీ : Die Outline (5-Solder Bar)

ప్యాకేజీ / కేసు : Die

మీరు కూడా ఆసక్తి కలిగి ఉండవచ్చు

IRFR3410TRRPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 31A DPAK.
IRFR1018ETRRPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 60V 79A DPAK.
IRLR024ZTRPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 55V 16A DPAK.
TK40P04M1(T6RSS-Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A.
TP0610K-T1

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23.
2N7002E

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23.