GeneSiC Semiconductor - MBR600200CT

KEY Part #: K6468492

వివరణాత్మక వివరణ:: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 150V 600A Forward

కుటుంబ వర్గాలు:: KEY కాంపోనెంట్స్ కో., LTD ఒక ఎలక్ట్రానిక్ కాంపోనెంట్స్ డిస్ట్రిబ్యూటర్, వీరితో సహా ఉత్పత్తి వర్గాలను అందిస్తుంది: ట్రాన్సిస్టర్లు - ప్రోగ్రామబుల్ యూనిజక్షన్, ట్రాన్సిస్టర్లు - JFET లు, ట్రాన్సిస్టర్లు - FET లు, MOSFET లు - RF, ట్రాన్సిస్టర్లు - బైపోలార్ (బిజెటి) - శ్రేణులు, ప్, డయోడ్లు - RF, డయోడ్లు - వేరియబుల్ కెపాసిటెన్స్ (వరికాప్స్, వరాక్, ట్రాన్సిస్టర్లు - బైపోలార్ (బిజెటి) - సింగిల్, ప్ర and ట్రాన్సిస్టర్లు - బైపోలార్ (బిజెటి) - శ్రేణులు ...

పోటీతత్వ ప్రయోజనాన్ని:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR600200CT electronic components. MBR600200CT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR600200CT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

పార్ట్ నంబర్ : MBR600200CT

తయారీదారు : GeneSiC Semiconductor

వివరణ : DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

సిరీస్ : -

పార్ట్ స్థితి : Active

డయోడ్ కాన్ఫిగరేషన్ : 1 Pair Common Cathode

డయోడ్ రకం : Schottky

వోల్టేజ్ - DC రివర్స్ (Vr) (గరిష్టంగా) : 200V

ప్రస్తుత - సగటు సరిదిద్దబడిన (అయో) (ప్రతి డయోడ్) : 300A

వోల్టేజ్ - ఫార్వర్డ్ (విఎఫ్) (గరిష్టంగా) @ ఉంటే : 920mV @ 300A

స్పీడ్ : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

రివర్స్ రికవరీ సమయం (trr) : -

ప్రస్తుత - రివర్స్ లీకేజ్ @ Vr : 3mA @ 200V

నిర్వహణ ఉష్ణోగ్రత - జంక్షన్ : -55°C ~ 150°C

మౌంటు రకం : Chassis Mount

ప్యాకేజీ / కేసు : Twin Tower

సరఫరాదారు పరికర ప్యాకేజీ : Twin Tower

మీరు కూడా ఆసక్తి కలిగి ఉండవచ్చు

LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
BF1212WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R.
BF1217WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL SOT343R.
MMBF5485

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 10MA SOT23.
MMBFJ211

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 20MA SOT23.
MMBF4416

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 15MA SOT23.

వేడి భాగాలు