పార్ట్ నంబర్ :
IPB036N12N3GATMA1
తయారీదారు :
Infineon Technologies
వివరణ :
MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
టెక్నాలజీ :
MOSFET (Metal Oxide)
మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది :
120V
ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C. :
180A (Tc)
డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్) :
10V
Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs :
3.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (వ) (గరిష్టంగా) @ Id :
4V @ 270µA
గేట్ ఛార్జ్ (Qg) (గరిష్టంగా) gs Vgs :
211nC @ 10V
ఇన్పుట్ కెపాసిటెన్స్ (సిస్) (గరిష్టంగా) @ Vds :
13800pF @ 60V
శక్తి వెదజల్లడం (గరిష్టంగా) :
300W (Tc)
నిర్వహణా ఉష్నోగ్రత :
-55°C ~ 175°C (TJ)
మౌంటు రకం :
Surface Mount
సరఫరాదారు పరికర ప్యాకేజీ :
PG-TO263-7
ప్యాకేజీ / కేసు :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB