ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46R16160F-5BLA1-TR

KEY Part #: K938170

IS46R16160F-5BLA1-TR ధర (USD) [19375pcs స్టాక్]

  • 1 pcs$2.63707
  • 2,500 pcs$2.62395

పార్ట్ నంబర్:
IS46R16160F-5BLA1-TR
తయారీదారు:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
వివరణాత్మక వివరణ:
IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA. DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 200MHz, 60 ball FBGA RoHS, T&R
Manufacturer's standard lead time:
అందుబాటులో ఉంది
షెల్ఫ్ జీవితం:
ఒక సంవత్సరం
నుండి చిప్:
హాంగ్ కొంగ
RoHS:
చెల్లింపు పద్ధతి:
రవాణా మార్గం:
కుటుంబ వర్గాలు:
KEY కాంపోనెంట్స్ కో., LTD ఒక ఎలక్ట్రానిక్ కాంపోనెంట్స్ డిస్ట్రిబ్యూటర్, వీరితో సహా ఉత్పత్తి వర్గాలను అందిస్తుంది: పిఎంఐసి - వోల్టేజ్ రెగ్యులేటర్లు - డిసి డిసి స్విచ, లాజిక్ - గేట్స్ మరియు ఇన్వర్టర్లు, ఇంటర్ఫేస్ - వాయిస్ రికార్డ్ మరియు ప్లేబ్యాక్, PMIC - థర్మల్ మేనేజ్మెంట్, PMIC - వోల్టేజ్ రిఫరెన్స్, పొందుపరిచింది - సిస్టమ్ ఆన్ చిప్ (SoC), లాజిక్ - సిగ్నల్ స్విచ్‌లు, మల్టీప్లెక్సర్లు, డీకో and గడియారం / సమయం - రియల్ టైమ్ గడియారాలు ...
పోటీతత్వ ప్రయోజనాన్ని:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160F-5BLA1-TR electronic components. IS46R16160F-5BLA1-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS46R16160F-5BLA1-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS46R16160F-5BLA1-TR ఉత్పత్తి లక్షణాలు

పార్ట్ నంబర్ : IS46R16160F-5BLA1-TR
తయారీదారు : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
వివరణ : IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
సిరీస్ : -
పార్ట్ స్థితి : Active
మెమరీ రకం : Volatile
మెమరీ ఆకృతి : DRAM
టెక్నాలజీ : SDRAM - DDR
మెమరీ పరిమాణం : 256Mb (16M x 16)
క్లాక్ ఫ్రీక్వెన్సీ : 200MHz
సైకిల్ సమయం వ్రాయండి - పదం, పేజీ : 15ns
ప్రాప్యత సమయం : 700ps
మెమరీ ఇంటర్ఫేస్ : Parallel
వోల్టేజ్ - సరఫరా : 2.3V ~ 2.7V
నిర్వహణా ఉష్నోగ్రత : -40°C ~ 85°C (TA)
మౌంటు రకం : Surface Mount
ప్యాకేజీ / కేసు : 60-TFBGA
సరఫరాదారు పరికర ప్యాకేజీ : 60-TFBGA (13x8)

తాజా వార్తలు

మీరు కూడా ఆసక్తి కలిగి ఉండవచ్చు
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)