EPC - EPC2018

KEY Part #: K6403908

కుటుంబ వర్గాలు:: KEY కాంపోనెంట్స్ కో., LTD ఒక ఎలక్ట్రానిక్ కాంపోనెంట్స్ డిస్ట్రిబ్యూటర్, వీరితో సహా ఉత్పత్తి వర్గాలను అందిస్తుంది: డయోడ్లు - రెక్టిఫైయర్లు - సింగిల్, ట్రాన్సిస్టర్లు - JFET లు, డయోడ్లు - రెక్టిఫైయర్లు - శ్రేణులు, ట్రాన్సిస్టర్లు - IGBT లు - సింగిల్, థైరిస్టర్లు - DIAC లు, SIDAC లు, ట్రాన్సిస్టర్లు - FET లు, MOSFET లు - RF, ట్రాన్సిస్టర్లు - బైపోలార్ (బిజెటి) - ఆర్‌ఎఫ్ and ట్రాన్సిస్టర్లు - IGBT లు - గుణకాలు ...

పోటీతత్వ ప్రయోజనాన్ని:: We specialize in EPC EPC2018 electronic components. EPC2018 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2018, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

పార్ట్ నంబర్ : EPC2018

తయారీదారు : EPC

వివరణ : GANFET TRANS 150V 12A BUMPED DIE

సిరీస్ : eGaN®

పార్ట్ స్థితి : Discontinued at Digi-Key

FET రకం : N-Channel

టెక్నాలజీ : GaNFET (Gallium Nitride)

మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది : 150V

ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C. : 12A (Ta)

డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్) : 5V

Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 6A, 5V

Vgs (వ) (గరిష్టంగా) @ Id : 2.5V @ 3mA

గేట్ ఛార్జ్ (Qg) (గరిష్టంగా) gs Vgs : 7.5nC @ 5V

Vgs (గరిష్టంగా) : +6V, -5V

ఇన్పుట్ కెపాసిటెన్స్ (సిస్) (గరిష్టంగా) @ Vds : 540pF @ 100V

FET ఫీచర్ : -

శక్తి వెదజల్లడం (గరిష్టంగా) : -

నిర్వహణా ఉష్నోగ్రత : -40°C ~ 125°C (TJ)

మౌంటు రకం : Surface Mount

సరఫరాదారు పరికర ప్యాకేజీ : Die

ప్యాకేజీ / కేసు : Die

మీరు కూడా ఆసక్తి కలిగి ఉండవచ్చు

AUIRFR8405

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.
AUIRFR8403

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.
AUIRFR8401

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.
2SK3309(TE24L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM.
FQD3N50CTF

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK.
IRLR3715TRRPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 20V 54A DPAK.