GeneSiC Semiconductor - GA10JT12-247

KEY Part #: K6404176

కుటుంబ వర్గాలు:: KEY కాంపోనెంట్స్ కో., LTD ఒక ఎలక్ట్రానిక్ కాంపోనెంట్స్ డిస్ట్రిబ్యూటర్, వీరితో సహా ఉత్పత్తి వర్గాలను అందిస్తుంది: ట్రాన్సిస్టర్లు - బైపోలార్ (బిజెటి) - ఆర్‌ఎఫ్, డయోడ్లు - వంతెన రెక్టిఫైయర్లు, ట్రాన్సిస్టర్లు - బైపోలార్ (బిజెటి) - సింగిల్, ట్రాన్సిస్టర్లు - బైపోలార్ (బిజెటి) - శ్రేణులు, ప్, ట్రాన్సిస్టర్లు - IGBT లు - గుణకాలు, ట్రాన్సిస్టర్లు - FET లు, MOSFET లు - శ్రేణులు, డయోడ్లు - జెనర్ - సింగిల్ and డయోడ్లు - రెక్టిఫైయర్లు - సింగిల్ ...

పోటీతత్వ ప్రయోజనాన్ని:: We specialize in GeneSiC Semiconductor GA10JT12-247 electronic components. GA10JT12-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA10JT12-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

పార్ట్ నంబర్ : GA10JT12-247

తయారీదారు : GeneSiC Semiconductor

వివరణ : TRANS SJT 1.2KV 10A

సిరీస్ : -

పార్ట్ స్థితి : Obsolete

FET రకం : -

టెక్నాలజీ : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది : 1200V

ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C. : 10A (Tc)

డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్) : -

Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs : 140 mOhm @ 10A

Vgs (వ) (గరిష్టంగా) @ Id : -

గేట్ ఛార్జ్ (Qg) (గరిష్టంగా) gs Vgs : -

Vgs (గరిష్టంగా) : -

ఇన్పుట్ కెపాసిటెన్స్ (సిస్) (గరిష్టంగా) @ Vds : -

FET ఫీచర్ : -

శక్తి వెదజల్లడం (గరిష్టంగా) : 170W (Tc)

నిర్వహణా ఉష్నోగ్రత : 175°C (TJ)

మౌంటు రకం : Through Hole

సరఫరాదారు పరికర ప్యాకేజీ : TO-247AB

ప్యాకేజీ / కేసు : TO-247-3

మీరు కూడా ఆసక్తి కలిగి ఉండవచ్చు

NP60N055VUK-E1-AY

Renesas Electronics America

MOSFET N-CH 55V 60A TO-252.
NP60N04VUK-E1-AY

Renesas Electronics America

MOSFET N-CH 40V 60A TO-252.
AUIRLR024Z

Infineon Technologies

MOSFET N CH 55V 16A DPAK.
AUIRFR4292

Infineon Technologies

MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK.
IRFR7440PBF

Infineon Technologies

MOSFET N CH 40V 90A DPAK.
TK16A60W5,S4VX

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS.

వేడి భాగాలు