TC58CVG2S0HRAIG ధర (USD) [16879pcs స్టాక్]
- 1 pcs$2.71471
- పార్ట్ నంబర్:
- TC58CVG2S0HRAIG
- తయారీదారు:
- Toshiba Memory America, Inc.
- వివరణాత్మక వివరణ:
- IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm Serial NAND
- Manufacturer's standard lead time:
- అందుబాటులో ఉంది
- షెల్ఫ్ జీవితం:
- ఒక సంవత్సరం
- నుండి చిప్:
- హాంగ్ కొంగ
- RoHS:
- చెల్లింపు పద్ధతి:
-
- రవాణా మార్గం:
- కుటుంబ వర్గాలు:
- KEY కాంపోనెంట్స్ కో., LTD ఒక ఎలక్ట్రానిక్ కాంపోనెంట్స్ డిస్ట్రిబ్యూటర్, వీరితో సహా ఉత్పత్తి వర్గాలను అందిస్తుంది: పొందుపరిచిన - DSP (డిజిటల్ సిగ్నల్ ప్రాసెసర్లు), ఇంటర్ఫేస్ - ఎన్కోడర్లు, డీకోడర్లు, కన్వర్టర్లు, డేటా సముపార్జన - డిజిటల్ టు అనలాగ్ కన్వర్టర్స్ (DA, ఇంటర్ఫేస్ - వాయిస్ రికార్డ్ మరియు ప్లేబ్యాక్, పొందుపరిచిన - మైక్రోకంట్రోలర్‌లతో FPGA లు (ఫీల్డ్ , పిఎంఐసి - ఎసి డిసి కన్వర్టర్లు, ఆఫ్‌లైన్ స్విచ్చర్, PMIC - పూర్తి, హాఫ్ బ్రిడ్జ్ డ్రైవర్లు and డేటా సముపార్జన - టచ్ స్క్రీన్ కంట్రోలర్లు ...
- పోటీతత్వ ప్రయోజనాన్ని:
- We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58CVG2S0HRAIG electronic components. TC58CVG2S0HRAIG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58CVG2S0HRAIG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TC58CVG2S0HRAIG ఉత్పత్తి లక్షణాలు
పార్ట్ నంబర్ :
TC58CVG2S0HRAIG
తయారీదారు :
Toshiba Memory America, Inc.
వివరణ :
IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON
సిరీస్ :
-
పార్ట్ స్థితి :
Active
మెమరీ రకం :
Non-Volatile
మెమరీ ఆకృతి :
FLASH
టెక్నాలజీ :
FLASH - NAND (SLC)
మెమరీ పరిమాణం :
4Gb (512M x 8)
క్లాక్ ఫ్రీక్వెన్సీ :
104MHz
సైకిల్ సమయం వ్రాయండి - పదం, పేజీ :
-
ప్రాప్యత సమయం :
280µs
మెమరీ ఇంటర్ఫేస్ :
SPI - Quad I/O
వోల్టేజ్ - సరఫరా :
2.7V ~ 3.6V
నిర్వహణా ఉష్నోగ్రత :
-40°C ~ 85°C (TA)
మౌంటు రకం :
Surface Mount
ప్యాకేజీ / కేసు :
8-WDFN Exposed Pad
సరఫరాదారు పరికర ప్యాకేజీ :
8-WSON (6x8)
తాజా వార్తలు
మీరు కూడా ఆసక్తి కలిగి ఉండవచ్చు
-
-
AT28BV256-20SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
AT28C256-15SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
TH58BYG2S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
-
71321SA55JG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 16K PARALLEL 52PLCC. SRAM 2KX8 DUAL PORT MSTR W/INT
-
వేడి భాగాలు
- CY7C028V-15AXIT
- AT49LH004-33TC-T
- MT28F640J3BS-115 ET TR
- MT28F004B5VG-8 BET
- AT25F4096W-10SU-2.7
- MT29F4G08BBBWP TR
- AT27C010-12JI
- AT25320T1-10TI
- MT40A4G4HPR-075H:G TR
- S70WS512N00BFWAB3
- MT29F256G08CECEBJ4-37ITRES:E TR
- MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D
- MT29F128G08AECBBH6-6IT:B
- S25FL032P0XMFI013M
- S99-50204A
- IS42SM16160D-7BLI
- EDFP112A3PD-GD-F-D
- S70FS01GSDSBHM210
- IS61DDB41M36A-300M3LI
- 7028L15PFI
- AS4C128M16D3L-12BANTR
- S25FL132K0XBHI033
- MT29F64G08AFAAAWP-IT:A
- IDT71016S12YI8
- JS28F256P30BFF TR
- MT46H128M16LFB7-5 IT:B
- AT49BV160DT-70CU
- MT29F2G01AAAEDH4:E TR
- AT25DF321-SU
- 93C86AT-I/ST
- R1LV0408DSB-5SI#B0
- M29W128GL70ZS6E
- M28W640HSB70ZA6E
- IDT71V65803S133PF8
- IDT71V25761SA200BG8
- 7134SA55J8
- 70V06L20PFI
- MT46V16M16P-75:F TR
- CYDD09S36V18-167BBXC
- S25FS512SDSBHA213