S1JR2 ధర (USD) [2750629pcs స్టాక్]
- 1 pcs$0.01345
- పార్ట్ నంబర్:
- S1JR2
- తయారీదారు:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- వివరణాత్మక వివరణ:
- 1A 600V GLASS PASSIVATED SMD R.
- Manufacturer's standard lead time:
- అందుబాటులో ఉంది
- షెల్ఫ్ జీవితం:
- ఒక సంవత్సరం
- నుండి చిప్:
- హాంగ్ కొంగ
- RoHS:
- చెల్లింపు పద్ధతి:
-
- రవాణా మార్గం:
- కుటుంబ వర్గాలు:
- KEY కాంపోనెంట్స్ కో., LTD ఒక ఎలక్ట్రానిక్ కాంపోనెంట్స్ డిస్ట్రిబ్యూటర్, వీరితో సహా ఉత్పత్తి వర్గాలను అందిస్తుంది: థైరిస్టర్లు - SCR లు - గుణకాలు, థైరిస్టర్లు - DIAC లు, SIDAC లు, ట్రాన్సిస్టర్లు - బైపోలార్ (బిజెటి) - సింగిల్, థైరిస్టర్లు - SCR లు, ట్రాన్సిస్టర్లు - IGBT లు - సింగిల్, ట్రాన్సిస్టర్లు - FET లు, MOSFET లు - శ్రేణులు, ట్రాన్సిస్టర్లు - బైపోలార్ (బిజెటి) - సింగిల్, ప్ర and ట్రాన్సిస్టర్లు - బైపోలార్ (బిజెటి) - శ్రేణులు ...
- పోటీతత్వ ప్రయోజనాన్ని:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation S1JR2 electronic components. S1JR2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S1JR2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S1JR2 ఉత్పత్తి లక్షణాలు
పార్ట్ నంబర్ :
S1JR2
తయారీదారు :
Taiwan Semiconductor Corporation
వివరణ :
1A 600V GLASS PASSIVATED SMD R
సిరీస్ :
-
పార్ట్ స్థితి :
Active
డయోడ్ రకం :
Standard
వోల్టేజ్ - DC రివర్స్ (Vr) (గరిష్టంగా) :
600V
ప్రస్తుత - సగటు సరిదిద్దబడింది (అయో) :
1A
వోల్టేజ్ - ఫార్వర్డ్ (విఎఫ్) (గరిష్టంగా) @ ఉంటే :
1.1V @ 1A
స్పీడ్ :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
రివర్స్ రికవరీ సమయం (trr) :
1.5µs
ప్రస్తుత - రివర్స్ లీకేజ్ @ Vr :
1µA @ 600V
కెపాసిటెన్స్ @ Vr, F. :
12pF @ 4V, 1MHz
మౌంటు రకం :
Surface Mount
ప్యాకేజీ / కేసు :
DO-214AC, SMA
సరఫరాదారు పరికర ప్యాకేజీ :
DO-214AC (SMA)
నిర్వహణ ఉష్ణోగ్రత - జంక్షన్ :
-55°C ~ 175°C
తాజా వార్తలు
మీరు కూడా ఆసక్తి కలిగి ఉండవచ్చు
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
వేడి భాగాలు
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A