వివరణ :
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
FET రకం :
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET ఫీచర్ :
GaNFET (Gallium Nitride)
మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది :
60V, 100V
ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C. :
1.7A, 500mA
Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs (వ) (గరిష్టంగా) @ Id :
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
గేట్ ఛార్జ్ (Qg) (గరిష్టంగా) gs Vgs :
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
ఇన్పుట్ కెపాసిటెన్స్ (సిస్) (గరిష్టంగా) @ Vds :
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
నిర్వహణా ఉష్నోగ్రత :
-40°C ~ 150°C (TJ)
మౌంటు రకం :
Surface Mount
ప్యాకేజీ / కేసు :
9-VFBGA
సరఫరాదారు పరికర ప్యాకేజీ :
9-BGA (1.35x1.35)