Infineon Technologies - FD150R12RT4HOSA1

KEY Part #: K6532517

FD150R12RT4HOSA1 ధర (USD) [1637pcs స్టాక్]

  • 1 pcs$26.44980

పార్ట్ నంబర్:
FD150R12RT4HOSA1
తయారీదారు:
Infineon Technologies
వివరణాత్మక వివరణ:
IGBT MODULE 1200V 150A.
Manufacturer's standard lead time:
అందుబాటులో ఉంది
షెల్ఫ్ జీవితం:
ఒక సంవత్సరం
నుండి చిప్:
హాంగ్ కొంగ
RoHS:
చెల్లింపు పద్ధతి:
రవాణా మార్గం:
కుటుంబ వర్గాలు:
KEY కాంపోనెంట్స్ కో., LTD ఒక ఎలక్ట్రానిక్ కాంపోనెంట్స్ డిస్ట్రిబ్యూటర్, వీరితో సహా ఉత్పత్తి వర్గాలను అందిస్తుంది: ట్రాన్సిస్టర్లు - బైపోలార్ (బిజెటి) - ఆర్‌ఎఫ్, ట్రాన్సిస్టర్లు - బైపోలార్ (బిజెటి) - సింగిల్, ప్ర, ట్రాన్సిస్టర్లు - FET లు, MOSFET లు - సింగిల్, ట్రాన్సిస్టర్లు - IGBT లు - గుణకాలు, థైరిస్టర్లు - SCR లు - గుణకాలు, ట్రాన్సిస్టర్లు - FET లు, MOSFET లు - శ్రేణులు, ట్రాన్సిస్టర్లు - IGBT లు - శ్రేణులు and డయోడ్లు - రెక్టిఫైయర్లు - శ్రేణులు ...
పోటీతత్వ ప్రయోజనాన్ని:
We specialize in Infineon Technologies FD150R12RT4HOSA1 electronic components. FD150R12RT4HOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FD150R12RT4HOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FD150R12RT4HOSA1 ఉత్పత్తి లక్షణాలు

పార్ట్ నంబర్ : FD150R12RT4HOSA1
తయారీదారు : Infineon Technologies
వివరణ : IGBT MODULE 1200V 150A
సిరీస్ : C
పార్ట్ స్థితి : Active
IGBT రకం : Trench Field Stop
ఆకృతీకరణ : Single Chopper
వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా) : 1200V
ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా) : 150A
శక్తి - గరిష్టంగా : 790W
Vce (ఆన్) (గరిష్టంగా) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 150A
ప్రస్తుత - కలెక్టర్ కటాఫ్ (గరిష్టంగా) : 1mA
ఇన్పుట్ కెపాసిటెన్స్ (Cies) @ Vce : 9.3nF @ 25V
ఇన్పుట్ : Standard
NTC థర్మిస్టర్ : No
నిర్వహణా ఉష్నోగ్రత : -40°C ~ 150°C (TJ)
మౌంటు రకం : Chassis Mount
ప్యాకేజీ / కేసు : Module
సరఫరాదారు పరికర ప్యాకేజీ : Module

మీరు కూడా ఆసక్తి కలిగి ఉండవచ్చు
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A1P35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK1.