పార్ట్ నంబర్ :
EPC2106ENGRT
వివరణ :
GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
FET రకం :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET ఫీచర్ :
GaNFET (Gallium Nitride)
మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది :
100V
ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C. :
1.7A
Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs :
70 mOhm @ 2A, 5V
Vgs (వ) (గరిష్టంగా) @ Id :
2.5V @ 600µA
గేట్ ఛార్జ్ (Qg) (గరిష్టంగా) gs Vgs :
0.73nC @ 5V
ఇన్పుట్ కెపాసిటెన్స్ (సిస్) (గరిష్టంగా) @ Vds :
75pF @ 50V
నిర్వహణా ఉష్నోగ్రత :
-40°C ~ 150°C (TJ)
మౌంటు రకం :
Surface Mount
సరఫరాదారు పరికర ప్యాకేజీ :
Die