Vishay Siliconix - SI1026X-T1-E3

KEY Part #: K6524469

[3821pcs స్టాక్]


    పార్ట్ నంబర్:
    SI1026X-T1-E3
    తయారీదారు:
    Vishay Siliconix
    వివరణాత్మక వివరణ:
    MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F.
    Manufacturer's standard lead time:
    అందుబాటులో ఉంది
    షెల్ఫ్ జీవితం:
    ఒక సంవత్సరం
    నుండి చిప్:
    హాంగ్ కొంగ
    RoHS:
    చెల్లింపు పద్ధతి:
    రవాణా మార్గం:
    కుటుంబ వర్గాలు:
    KEY కాంపోనెంట్స్ కో., LTD ఒక ఎలక్ట్రానిక్ కాంపోనెంట్స్ డిస్ట్రిబ్యూటర్, వీరితో సహా ఉత్పత్తి వర్గాలను అందిస్తుంది: డయోడ్లు - జెనర్ - శ్రేణులు, థైరిస్టర్లు - TRIAC లు, డయోడ్లు - రెక్టిఫైయర్లు - శ్రేణులు, ట్రాన్సిస్టర్లు - IGBT లు - గుణకాలు, ట్రాన్సిస్టర్లు - JFET లు, ట్రాన్సిస్టర్లు - IGBT లు - శ్రేణులు, డయోడ్లు - వేరియబుల్ కెపాసిటెన్స్ (వరికాప్స్, వరాక్ and పవర్ డ్రైవర్ మాడ్యూల్స్ ...
    పోటీతత్వ ప్రయోజనాన్ని:
    We specialize in Vishay Siliconix SI1026X-T1-E3 electronic components. SI1026X-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1026X-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI1026X-T1-E3 ఉత్పత్తి లక్షణాలు

    పార్ట్ నంబర్ : SI1026X-T1-E3
    తయారీదారు : Vishay Siliconix
    వివరణ : MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F
    సిరీస్ : -
    పార్ట్ స్థితి : Obsolete
    FET రకం : 2 N-Channel (Dual)
    FET ఫీచర్ : Logic Level Gate
    మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది : 60V
    ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C. : 305mA
    Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 500mA, 10V
    Vgs (వ) (గరిష్టంగా) @ Id : 2.5V @ 250µA
    గేట్ ఛార్జ్ (Qg) (గరిష్టంగా) gs Vgs : 0.6nC @ 4.5V
    ఇన్పుట్ కెపాసిటెన్స్ (సిస్) (గరిష్టంగా) @ Vds : 30pF @ 25V
    శక్తి - గరిష్టంగా : 250mW
    నిర్వహణా ఉష్నోగ్రత : -55°C ~ 150°C (TJ)
    మౌంటు రకం : Surface Mount
    ప్యాకేజీ / కేసు : SOT-563, SOT-666
    సరఫరాదారు పరికర ప్యాకేజీ : SC-89-6

    మీరు కూడా ఆసక్తి కలిగి ఉండవచ్చు