Samsung Semiconductor - K4A8G085WB-BITD

KEY Part #: K7359599

[19189pcs స్టాక్]


    పార్ట్ నంబర్:
    K4A8G085WB-BITD
    తయారీదారు:
    Samsung Semiconductor
    వివరణాత్మక వివరణ:
    8 Gb 1G x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    అందుబాటులో ఉంది
    షెల్ఫ్ జీవితం:
    ఒక సంవత్సరం
    నుండి చిప్:
    హాంగ్ కొంగ
    RoHS:
    చెల్లింపు పద్ధతి:
    రవాణా మార్గం:
    కుటుంబ వర్గాలు:
    KEY కాంపోనెంట్స్ కో., LTD ఒక ఎలక్ట్రానిక్ కాంపోనెంట్స్ డిస్ట్రిబ్యూటర్, వీరితో సహా ఉత్పత్తి వర్గాలను అందిస్తుంది: MODULE, DDR4, GDDR6, LPDDR4X, LPDDR5, SLC Nand, DDR3 and HBM Flarebolt ...
    పోటీతత్వ ప్రయోజనాన్ని:
    మేము సి 1 సి 2 ఎలక్ట్రానిక్ భాగాలలో ప్రత్యేకత కలిగి ఉన్నాము. సి 2 ఆర్డర్ చేసిన 24 గంటల్లో రవాణా చేయవచ్చు. మీకు K4A8G085WB-BITD కోసం ఏవైనా డిమాండ్లు ఉంటే, దయచేసి కొటేషన్ కోసం ఒక అభ్యర్థనను ఇక్కడ సమర్పించండి లేదా మాకు ఒక ఇమెయిల్ పంపండి: info@key-components.com

    K4A8G085WB-BITD ఉత్పత్తి లక్షణాలు

    పార్ట్ నంబర్ : K4A8G085WB-BITD
    తయారీదారు : Samsung Semiconductor
    వివరణ : 8 Gb 1G x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production
    సిరీస్ : DDR4
    సాంద్రత : 8 Gb
    Org. : 1G x 8
    స్పీడ్ : 2666 Mbps
    వోల్టేజ్ : 1.2 V
    టెంప్. : -40 ~ 95 °C
    ప్యాకేజీ : 78FBGA
    ఉత్పత్తి స్థితి : Mass Production

    మీరు కూడా ఆసక్తి కలిగి ఉండవచ్చు
    • K4A4G085WE-BIRC

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

    • K4ABG165WA-MCWE

      Samsung Semiconductor

      32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

    • K4A4G085WE-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BCTD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

    • K4A4G165WE-BCWE

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.