Samsung Semiconductor - K4B2G0846F-BYK0

KEY Part #: K7359654

[25337pcs స్టాక్]

పార్ట్ నంబర్:: K4B2G0846F-BYK0

తయారీదారు:: Samsung Semiconductor

వివరణాత్మక వివరణ:: 2 Gb 256M x 8 1600 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

Manufacturer's standard lead time:: అందుబాటులో ఉంది

షెల్ఫ్ జీవితం:: ఒక సంవత్సరం

నుండి చిప్:: హాంగ్ కొంగ

RoHS:

చెల్లింపు పద్ధతి:

రవాణా మార్గం:

కుటుంబ వర్గాలు:: KEY కాంపోనెంట్స్ కో., LTD ఒక ఎలక్ట్రానిక్ కాంపోనెంట్స్ డిస్ట్రిబ్యూటర్, వీరితో సహా ఉత్పత్తి వర్గాలను అందిస్తుంది: GDDR5, LPDDR3, LPDDR4X, GDDR6, DDR4, MODULE, LPDDR5 and SLC Nand ...

పోటీతత్వ ప్రయోజనాన్ని:: We specialize in Samsung Semiconductor K4B2G0846F-BYK0 electronic components. K4B2G0846F-BYK0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B2G0846F-BYK0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

K4B2G0846F-BYK0 ఉత్పత్తి లక్షణాలు

పార్ట్ నంబర్ : K4B2G0846F-BYK0

తయారీదారు : Samsung Semiconductor

వివరణ : 2 Gb 256M x 8 1600 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production

సిరీస్ : DDR3

సాంద్రత : 2 Gb

Org. : 256M x 8

స్పీడ్ : 1600 Mbps

వోల్టేజ్ : 1.35 V

టెంప్. : 0 ~ 85 °C

ప్యాకేజీ : 78FBGA

ఉత్పత్తి స్థితి : Mass Production

తాజా వార్తలు

Mass Production of Fifth-Generation V-NAND has Started

An Exclusive Look Inside Samsung’s Memory Exhibit at MWC

Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology

Samsung wins 46 CES 2020 Innovation Awards for Outstanding Design and Engineering

Samsung Electronics Introduces New High Bandwidth Memory Technology Tailored to Data Centers, Graphic Applications, and AI

Samsung Now Producing Four Gigabit LPDDR3 Mobile DRAM, Using 20nm-class Process Technology

Samsung Launches Industry’s First 12Gb LPDDR4 DRAM

Exploring the Key Samsung Technologies That Enabled 10nm-Class DRAM

Samsung Now Mass Producing Industry’s First, 20-Nanometer 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM

Samsung Electronics Takes 3D Memory to New Heights with Sixth-generation V-NAND SSDs for Client Computing

Automotive Driven by Small Packages Under the Hood

Mission Peak Reference Server System for NGSFF SSD

మీరు కూడా ఆసక్తి కలిగి ఉండవచ్చు

K3UH5H50AM-AGCL

Samsung Semiconductor

32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.
K3UH5H50AM-EGCL

Samsung Semiconductor

32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.
K3UH5H50AM-JGCL

Samsung Semiconductor

32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.
K3UH6H60BM-AGCL

Samsung Semiconductor

48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.
K3UH6H60BM-EGCL

Samsung Semiconductor

48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.
K3UH7H70AM-AGCL

Samsung Semiconductor

64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

వేడి భాగాలు

English తెలుగు