1N4005GA0 ధర (USD) [3549200pcs స్టాక్]
- 1 pcs$0.01042
- పార్ట్ నంబర్:
- 1N4005GA0
- తయారీదారు:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- వివరణాత్మక వివరణ:
- 1A600VSTD.GLASS PASSIVATED REC.
- Manufacturer's standard lead time:
- అందుబాటులో ఉంది
- షెల్ఫ్ జీవితం:
- ఒక సంవత్సరం
- నుండి చిప్:
- హాంగ్ కొంగ
- RoHS:
- చెల్లింపు పద్ధతి:
-
- రవాణా మార్గం:
- కుటుంబ వర్గాలు:
- KEY కాంపోనెంట్స్ కో., LTD ఒక ఎలక్ట్రానిక్ కాంపోనెంట్స్ డిస్ట్రిబ్యూటర్, వీరితో సహా ఉత్పత్తి వర్గాలను అందిస్తుంది: ట్రాన్సిస్టర్లు - IGBT లు - సింగిల్, డయోడ్లు - వేరియబుల్ కెపాసిటెన్స్ (వరికాప్స్, వరాక్, డయోడ్లు - జెనర్ - శ్రేణులు, డయోడ్లు - రెక్టిఫైయర్లు - సింగిల్, ట్రాన్సిస్టర్లు - IGBT లు - శ్రేణులు, డయోడ్లు - వంతెన రెక్టిఫైయర్లు, డయోడ్లు - జెనర్ - సింగిల్ and థైరిస్టర్లు - SCR లు - గుణకాలు ...
- పోటీతత్వ ప్రయోజనాన్ని:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation 1N4005GA0 electronic components. 1N4005GA0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4005GA0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N4005GA0 ఉత్పత్తి లక్షణాలు
పార్ట్ నంబర్ :
1N4005GA0
తయారీదారు :
Taiwan Semiconductor Corporation
వివరణ :
1A600VSTD.GLASS PASSIVATED REC
సిరీస్ :
-
పార్ట్ స్థితి :
Active
డయోడ్ రకం :
Standard
వోల్టేజ్ - DC రివర్స్ (Vr) (గరిష్టంగా) :
600V
ప్రస్తుత - సగటు సరిదిద్దబడింది (అయో) :
1A
వోల్టేజ్ - ఫార్వర్డ్ (విఎఫ్) (గరిష్టంగా) @ ఉంటే :
1V @ 1A
స్పీడ్ :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
రివర్స్ రికవరీ సమయం (trr) :
-
ప్రస్తుత - రివర్స్ లీకేజ్ @ Vr :
5µA @ 600V
కెపాసిటెన్స్ @ Vr, F. :
10pF @ 4V, 1MHz
మౌంటు రకం :
Through Hole
ప్యాకేజీ / కేసు :
DO-204AL, DO-41, Axial
సరఫరాదారు పరికర ప్యాకేజీ :
DO-204AL (DO-41)
నిర్వహణ ఉష్ణోగ్రత - జంక్షన్ :
-55°C ~ 150°C
తాజా వార్తలు
మీరు కూడా ఆసక్తి కలిగి ఉండవచ్చు
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
వేడి భాగాలు
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08