పార్ట్ నంబర్ :
IPB60R099C6ATMA1
తయారీదారు :
Infineon Technologies
వివరణ :
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263
పార్ట్ స్థితి :
Not For New Designs
టెక్నాలజీ :
MOSFET (Metal Oxide)
మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది :
600V
ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C. :
37.9A (Tc)
డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్) :
10V
Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs :
99 mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs (వ) (గరిష్టంగా) @ Id :
3.5V @ 1.21mA
గేట్ ఛార్జ్ (Qg) (గరిష్టంగా) gs Vgs :
119nC @ 10V
ఇన్పుట్ కెపాసిటెన్స్ (సిస్) (గరిష్టంగా) @ Vds :
2660pF @ 100V
శక్తి వెదజల్లడం (గరిష్టంగా) :
278W (Tc)
నిర్వహణా ఉష్నోగ్రత :
-55°C ~ 150°C (TJ)
మౌంటు రకం :
Surface Mount
సరఫరాదారు పరికర ప్యాకేజీ :
D²PAK (TO-263AB)
ప్యాకేజీ / కేసు :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB