BAS516,H3F ధర (USD) [3056256pcs స్టాక్]
- 1 pcs$0.01210
- పార్ట్ నంబర్:
- BAS516,H3F
- తయారీదారు:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- వివరణాత్మక వివరణ:
- DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 100V .35pF .25A
- Manufacturer's standard lead time:
- అందుబాటులో ఉంది
- షెల్ఫ్ జీవితం:
- ఒక సంవత్సరం
- నుండి చిప్:
- హాంగ్ కొంగ
- RoHS:
- చెల్లింపు పద్ధతి:
-
- రవాణా మార్గం:
- కుటుంబ వర్గాలు:
- KEY కాంపోనెంట్స్ కో., LTD ఒక ఎలక్ట్రానిక్ కాంపోనెంట్స్ డిస్ట్రిబ్యూటర్, వీరితో సహా ఉత్పత్తి వర్గాలను అందిస్తుంది: థైరిస్టర్లు - SCR లు, డయోడ్లు - రెక్టిఫైయర్లు - సింగిల్, ట్రాన్సిస్టర్లు - బైపోలార్ (బిజెటి) - శ్రేణులు, ప్, థైరిస్టర్లు - DIAC లు, SIDAC లు, థైరిస్టర్లు - TRIAC లు, ట్రాన్సిస్టర్లు - FET లు, MOSFET లు - RF, ట్రాన్సిస్టర్లు - JFET లు and డయోడ్లు - రెక్టిఫైయర్లు - శ్రేణులు ...
- పోటీతత్వ ప్రయోజనాన్ని:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage BAS516,H3F electronic components. BAS516,H3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS516,H3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS516,H3F ఉత్పత్తి లక్షణాలు
పార్ట్ నంబర్ :
BAS516,H3F
తయారీదారు :
Toshiba Semiconductor and Storage
వివరణ :
DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
సిరీస్ :
-
పార్ట్ స్థితి :
Active
డయోడ్ రకం :
Standard
వోల్టేజ్ - DC రివర్స్ (Vr) (గరిష్టంగా) :
100V
ప్రస్తుత - సగటు సరిదిద్దబడింది (అయో) :
250mA
వోల్టేజ్ - ఫార్వర్డ్ (విఎఫ్) (గరిష్టంగా) @ ఉంటే :
1.25V @ 150mA
స్పీడ్ :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
రివర్స్ రికవరీ సమయం (trr) :
3ns
ప్రస్తుత - రివర్స్ లీకేజ్ @ Vr :
200nA @ 80V
కెపాసిటెన్స్ @ Vr, F. :
0.35pF @ 0V, 1MHz
మౌంటు రకం :
Surface Mount
ప్యాకేజీ / కేసు :
SC-79, SOD-523
సరఫరాదారు పరికర ప్యాకేజీ :
ESC
నిర్వహణ ఉష్ణోగ్రత - జంక్షన్ :
150°C (Max)
తాజా వార్తలు
మీరు కూడా ఆసక్తి కలిగి ఉండవచ్చు
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
వేడి భాగాలు
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF