Micron Technology Inc. - EDB1332BDBH-1DAAT-F-D

KEY Part #: K936833

EDB1332BDBH-1DAAT-F-D ధర (USD) [15176pcs స్టాక్]

  • 1 pcs$3.03444
  • 2,100 pcs$3.01935

పార్ట్ నంబర్:
EDB1332BDBH-1DAAT-F-D
తయారీదారు:
Micron Technology Inc.
వివరణాత్మక వివరణ:
IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM LPDDR2 1G 32MX32 FBGA
Manufacturer's standard lead time:
అందుబాటులో ఉంది
షెల్ఫ్ జీవితం:
ఒక సంవత్సరం
నుండి చిప్:
హాంగ్ కొంగ
RoHS:
చెల్లింపు పద్ధతి:
రవాణా మార్గం:
కుటుంబ వర్గాలు:
KEY కాంపోనెంట్స్ కో., LTD ఒక ఎలక్ట్రానిక్ కాంపోనెంట్స్ డిస్ట్రిబ్యూటర్, వీరితో సహా ఉత్పత్తి వర్గాలను అందిస్తుంది: ఇంటర్ఫేస్ - అనలాగ్ స్విచ్లు - ప్రత్యేక ప్రయోజనం, PMIC - బ్యాటరీ ఛార్జర్లు, పొందుపరిచిన - మైక్రోకంట్రోలర్లు, పిఎంఐసి - సూపర్‌వైజర్లు, పొందుపరిచిన - సిపిఎల్‌డిలు (కాంప్లెక్స్ ప్రోగ్రామబ, లీనియర్ - యాంప్లిఫైయర్స్ - వీడియో ఆంప్స్ మరియు మాడ, లాజిక్ - యూనివర్సల్ బస్ విధులు and PMIC - V / F మరియు F / V కన్వర్టర్లు ...
పోటీతత్వ ప్రయోజనాన్ని:
We specialize in Micron Technology Inc. EDB1332BDBH-1DAAT-F-D electronic components. EDB1332BDBH-1DAAT-F-D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EDB1332BDBH-1DAAT-F-D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EDB1332BDBH-1DAAT-F-D ఉత్పత్తి లక్షణాలు

పార్ట్ నంబర్ : EDB1332BDBH-1DAAT-F-D
తయారీదారు : Micron Technology Inc.
వివరణ : IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
సిరీస్ : -
పార్ట్ స్థితి : Active
మెమరీ రకం : Volatile
మెమరీ ఆకృతి : DRAM
టెక్నాలజీ : SDRAM - Mobile LPDDR2
మెమరీ పరిమాణం : 1Gb (32M x 32)
క్లాక్ ఫ్రీక్వెన్సీ : 533MHz
సైకిల్ సమయం వ్రాయండి - పదం, పేజీ : -
ప్రాప్యత సమయం : -
మెమరీ ఇంటర్ఫేస్ : Parallel
వోల్టేజ్ - సరఫరా : 1.14V ~ 1.95V
నిర్వహణా ఉష్నోగ్రత : -40°C ~ 105°C (TC)
మౌంటు రకం : Surface Mount
ప్యాకేజీ / కేసు : 134-VFBGA
సరఫరాదారు పరికర ప్యాకేజీ : 134-VFBGA (10x11.5)

మీరు కూడా ఆసక్తి కలిగి ఉండవచ్చు
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • IS61LP6432A-133TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16