వివరణ :
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
FET రకం :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET ఫీచర్ :
GaNFET (Gallium Nitride)
మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది :
30V
ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C. :
10A (Ta), 40A (Ta)
Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs :
8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (వ) (గరిష్టంగా) @ Id :
2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
గేట్ ఛార్జ్ (Qg) (గరిష్టంగా) gs Vgs :
4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
ఇన్పుట్ కెపాసిటెన్స్ (సిస్) (గరిష్టంగా) @ Vds :
475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
నిర్వహణా ఉష్నోగ్రత :
-40°C ~ 150°C (TJ)
మౌంటు రకం :
Surface Mount
సరఫరాదారు పరికర ప్యాకేజీ :
Die