Micron Technology Inc. - MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR

KEY Part #: K939407

MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR ధర (USD) [25024pcs స్టాక్]

  • 1 pcs$2.00029
  • 1,000 pcs$1.99034

పార్ట్ నంబర్:
MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR
తయారీదారు:
Micron Technology Inc.
వివరణాత్మక వివరణ:
IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash SLC 2G 256MX8 FBGA
Manufacturer's standard lead time:
అందుబాటులో ఉంది
షెల్ఫ్ జీవితం:
ఒక సంవత్సరం
నుండి చిప్:
హాంగ్ కొంగ
RoHS:
చెల్లింపు పద్ధతి:
రవాణా మార్గం:
కుటుంబ వర్గాలు:
KEY కాంపోనెంట్స్ కో., LTD ఒక ఎలక్ట్రానిక్ కాంపోనెంట్స్ డిస్ట్రిబ్యూటర్, వీరితో సహా ఉత్పత్తి వర్గాలను అందిస్తుంది: పొందుపరిచిన - సిపిఎల్‌డిలు (కాంప్లెక్స్ ప్రోగ్రామబ, PMIC - DC కన్వర్టర్లకు RMS, లీనియర్ - యాంప్లిఫైయర్స్ - ఇన్స్ట్రుమెంటేషన్, OP ఆ, లాజిక్ - లాచెస్, ఇంటర్ఫేస్ - సీరియలైజర్లు, దేశీయలైజర్లు, లాజిక్ - గేట్స్ మరియు ఇన్వర్టర్లు, PMIC - హాట్ స్వాప్ కంట్రోలర్స్ and డేటా సముపార్జన - డిజిటల్ టు అనలాగ్ కన్వర్టర్స్ (DA ...
పోటీతత్వ ప్రయోజనాన్ని:
We specialize in Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR electronic components. MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR ఉత్పత్తి లక్షణాలు

పార్ట్ నంబర్ : MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR
తయారీదారు : Micron Technology Inc.
వివరణ : IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA
సిరీస్ : -
పార్ట్ స్థితి : Active
మెమరీ రకం : Non-Volatile
మెమరీ ఆకృతి : FLASH
టెక్నాలజీ : FLASH - NAND
మెమరీ పరిమాణం : 2Gb (256M x 8)
క్లాక్ ఫ్రీక్వెన్సీ : -
సైకిల్ సమయం వ్రాయండి - పదం, పేజీ : -
ప్రాప్యత సమయం : -
మెమరీ ఇంటర్ఫేస్ : Parallel
వోల్టేజ్ - సరఫరా : 1.7V ~ 1.95V
నిర్వహణా ఉష్నోగ్రత : -40°C ~ 85°C (TA)
మౌంటు రకం : Surface Mount
ప్యాకేజీ / కేసు : 63-VFBGA
సరఫరాదారు పరికర ప్యాకేజీ : 63-VFBGA

మీరు కూడా ఆసక్తి కలిగి ఉండవచ్చు
  • CAV25M01YE-GT3

    ON Semiconductor

    IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP. EEPROM 1 Mb SPI Serial CMOS EEPROM

  • W94AD2KBJX5E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz

  • W9864G2JB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp

  • W632GG8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB15I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.