వివరణ :
GANFET TRANS 30V 60A BUMPED DIE
టెక్నాలజీ :
GaNFET (Gallium Nitride)
మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది :
30V
ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C. :
60A (Ta)
డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్) :
-
Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs :
1.3 mOhm @ 40A, 5V
Vgs (వ) (గరిష్టంగా) @ Id :
2.5V @ 20mA
గేట్ ఛార్జ్ (Qg) (గరిష్టంగా) gs Vgs :
-
ఇన్పుట్ కెపాసిటెన్స్ (సిస్) (గరిష్టంగా) @ Vds :
2300pF @ 15V
శక్తి వెదజల్లడం (గరిష్టంగా) :
-
మౌంటు రకం :
Surface Mount
సరఫరాదారు పరికర ప్యాకేజీ :
Die