పార్ట్ నంబర్ :
TPC8018-H(TE12LQM)
తయారీదారు :
Toshiba Semiconductor and Storage
వివరణ :
MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
టెక్నాలజీ :
MOSFET (Metal Oxide)
మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది :
30V
ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C. :
18A (Ta)
డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్) :
4.5V, 10V
Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs :
4.6 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (వ) (గరిష్టంగా) @ Id :
2.3V @ 1mA
గేట్ ఛార్జ్ (Qg) (గరిష్టంగా) gs Vgs :
38nC @ 10V
ఇన్పుట్ కెపాసిటెన్స్ (సిస్) (గరిష్టంగా) @ Vds :
2265pF @ 10V
శక్తి వెదజల్లడం (గరిష్టంగా) :
1W (Ta)
నిర్వహణా ఉష్నోగ్రత :
150°C (TJ)
మౌంటు రకం :
Surface Mount
సరఫరాదారు పరికర ప్యాకేజీ :
8-SOP (5.5x6.0)
ప్యాకేజీ / కేసు :
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)