మీ స్థానం జాబితా చేయకపోతే, దయచేసి కిందివాటిలో ఒకదాన్ని ఎంచుకోండి:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

మీ స్థానం జాబితా చేయకపోతే, దయచేసి కిందివాటిలో ఒకదాన్ని ఎంచుకోండి:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. హోమ్
  2. ఉత్పత్తులు
  3. DRAM
  4. LPDDR4
  5. K4FHE3D4HA-GHCL

Samsung Semiconductor - K4FHE3D4HA-GHCL

KEY Part #: K7359778

[20997pcs స్టాక్]

    పార్ట్ నంబర్:
    K4FHE3D4HA-GHCL
    తయారీదారు:
    Samsung Semiconductor
    వివరణాత్మక వివరణ:
    24 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    అందుబాటులో ఉంది
    షెల్ఫ్ జీవితం:
    ఒక సంవత్సరం
    నుండి చిప్:
    హాంగ్ కొంగ
    RoHS:
    చెల్లింపు పద్ధతి:
    రవాణా మార్గం:
    కుటుంబ వర్గాలు:
    KEY కాంపోనెంట్స్ కో., LTD ఒక ఎలక్ట్రానిక్ కాంపోనెంట్స్ డిస్ట్రిబ్యూటర్, వీరితో సహా ఉత్పత్తి వర్గాలను అందిస్తుంది: SLC Nand, DDR3, MODULE, HBM Flarebolt, LPDDR3, GDDR6, LPDDR5 and DDR4 ...
    పోటీతత్వ ప్రయోజనాన్ని:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4FHE3D4HA-GHCL electronic components. K4FHE3D4HA-GHCL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4FHE3D4HA-GHCL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4FHE3D4HA-GHCL ఉత్పత్తి లక్షణాలు

    పార్ట్ నంబర్ : K4FHE3D4HA-GHCL
    తయారీదారు : Samsung Semiconductor
    వివరణ : 24 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
    సిరీస్ : DDR3
    సాంద్రత : 24 Gb
    Org. : x32
    స్పీడ్ : 4266 Mbps
    వోల్టేజ్ : 1.8 / 1.1 / 1.1 V
    టెంప్. : -40 ~ 105 °C
    ప్యాకేజీ : 200FBGA
    ఉత్పత్తి స్థితి : Mass Production

    తాజా వార్తలు

    NF1 SSD, Reach New Heights with Hyper-Scalable Datacenters
    Samsung Electronics Introduces New High Bandwidth Memory Technology Tailored to Data Centers, Graphic Applications, and AI
    Automotive Driven by Small Packages Under the Hood
    Samsung Now Mass Producing Industry’s First, 20-Nanometer 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM
    Evolving Mobile Solutions: Samsung at MWC 2018
    The Ultra-Low Latency SSD, Z-SSD
    How Will 5G Impact on Memory?
    SSDs, DRAM and gaming: Unlocking a new level of performance
    5G and Memory - from Connected Thinking to Connected Living
    Samsung Electronics Takes 3D Memory to New Heights with Sixth-generation V-NAND SSDs for Client Computing
    Mass Production of Fifth-Generation V-NAND has Started
    Driving the Artificial Intelligence Evolution with In-Memory Computing
    మీరు కూడా ఆసక్తి కలిగి ఉండవచ్చు
    • M392A2K43BB0-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.

    • M392A2K43BB0-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.

    • M392A4K40BM0-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2133 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.

    • M392A4K40BM0-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2400 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.

    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    వేడి భాగాలు