మీ స్థానం జాబితా చేయకపోతే, దయచేసి కిందివాటిలో ఒకదాన్ని ఎంచుకోండి:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

మీ స్థానం జాబితా చేయకపోతే, దయచేసి కిందివాటిలో ఒకదాన్ని ఎంచుకోండి:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. హోమ్
  2. ఉత్పత్తులు
  3. DRAM
  4. LPDDR4
  5. K4F4E3S4HF-GUCJ

Samsung Semiconductor - K4F4E3S4HF-GUCJ

KEY Part #: K7359763

[20969pcs స్టాక్]

    పార్ట్ నంబర్:
    K4F4E3S4HF-GUCJ
    తయారీదారు:
    Samsung Semiconductor
    వివరణాత్మక వివరణ:
    4 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 125 °C 200FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    అందుబాటులో ఉంది
    షెల్ఫ్ జీవితం:
    ఒక సంవత్సరం
    నుండి చిప్:
    హాంగ్ కొంగ
    RoHS:
    చెల్లింపు పద్ధతి:
    రవాణా మార్గం:
    కుటుంబ వర్గాలు:
    KEY కాంపోనెంట్స్ కో., LTD ఒక ఎలక్ట్రానిక్ కాంపోనెంట్స్ డిస్ట్రిబ్యూటర్, వీరితో సహా ఉత్పత్తి వర్గాలను అందిస్తుంది: DDR3, GDDR5, LPDDR3, GDDR6, LPDDR5, LPDDR4X, DDR4 and HBM Flarebolt ...
    పోటీతత్వ ప్రయోజనాన్ని:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4F4E3S4HF-GUCJ electronic components. K4F4E3S4HF-GUCJ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4F4E3S4HF-GUCJ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4F4E3S4HF-GUCJ ఉత్పత్తి లక్షణాలు

    పార్ట్ నంబర్ : K4F4E3S4HF-GUCJ
    తయారీదారు : Samsung Semiconductor
    వివరణ : 4 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 125 °C 200FBGA Mass Production
    సిరీస్ : DDR3
    సాంద్రత : 4 Gb
    Org. : x32
    స్పీడ్ : 3733 Mbps
    వోల్టేజ్ : 1.8 / 1.1 / 1.1 V
    టెంప్. : -40 ~ 125 °C
    ప్యాకేజీ : 200FBGA
    ఉత్పత్తి స్థితి : Mass Production

    తాజా వార్తలు

    Exploring the Key Samsung Technologies That Enabled 10nm-Class DRAM
    Samsung Rolls Out Industry’s First 8GB LPDDR4 DRAM Package
    Evolving Mobile Solutions: Samsung at MWC 2018
    Samsung Launches Industry’s First 12Gb LPDDR4 DRAM
    Driving the Artificial Intelligence Evolution with In-Memory Computing
    Samsung Showcases Its Latest Silicon Technologies for the Next Wave of Innovation at Annual Tech Day
    Samsung Z-SSD SZ985
    5G and Memory - from Connected Thinking to Connected Living
    Inside the building blocks of the 5G future
    Unlocking the Power of Cloud Computing
    Samsung Now Mass Producing Industry’s First, 20-Nanometer 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM
    Speed for the next generation of mobile devices
    మీరు కూడా ఆసక్తి కలిగి ఉండవచ్చు
    • M392A2K43BB0-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.

    • M392A2K43BB0-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.

    • M392A4K40BM0-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2133 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.

    • M392A4K40BM0-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2400 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.

    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    వేడి భాగాలు