మీ స్థానం జాబితా చేయకపోతే, దయచేసి కిందివాటిలో ఒకదాన్ని ఎంచుకోండి:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

మీ స్థానం జాబితా చేయకపోతే, దయచేసి కిందివాటిలో ఒకదాన్ని ఎంచుకోండి:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. హోమ్
  2. ఉత్పత్తులు
  3. DRAM
  4. DDR4
  5. K4A8G165WB-BCWE

Samsung Semiconductor - K4A8G165WB-BCWE

KEY Part #: K7359609

[24756pcs స్టాక్]

    పార్ట్ నంబర్:
    K4A8G165WB-BCWE
    తయారీదారు:
    Samsung Semiconductor
    వివరణాత్మక వివరణ:
    8 Gb 512M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    అందుబాటులో ఉంది
    షెల్ఫ్ జీవితం:
    ఒక సంవత్సరం
    నుండి చిప్:
    హాంగ్ కొంగ
    RoHS:
    చెల్లింపు పద్ధతి:
    రవాణా మార్గం:
    కుటుంబ వర్గాలు:
    KEY కాంపోనెంట్స్ కో., LTD ఒక ఎలక్ట్రానిక్ కాంపోనెంట్స్ డిస్ట్రిబ్యూటర్, వీరితో సహా ఉత్పత్తి వర్గాలను అందిస్తుంది: DDR4, HBM Aquabolt, GDDR5, SLC Nand, HBM Flarebolt, DDR3, LPDDR3 and LPDDR5 ...
    పోటీతత్వ ప్రయోజనాన్ని:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4A8G165WB-BCWE electronic components. K4A8G165WB-BCWE can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4A8G165WB-BCWE, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4A8G165WB-BCWE ఉత్పత్తి లక్షణాలు

    పార్ట్ నంబర్ : K4A8G165WB-BCWE
    తయారీదారు : Samsung Semiconductor
    వివరణ : 8 Gb 512M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
    సిరీస్ : DDR4
    సాంద్రత : 8 Gb
    Org. : 512M x 16
    స్పీడ్ : 3200 Mbps
    వోల్టేజ్ : 1.2 V
    టెంప్. : 0 ~ 85 °C
    ప్యాకేజీ : 96FBGA
    ఉత్పత్తి స్థితి : Mass Production

    తాజా వార్తలు

    SSDs, DRAM and gaming: Unlocking a new level of performance
    Samsung Electronics Starts Mass Producing Industry’s First 8-Gigabit Graphics DRAM (GDDR5)
    Samsung wins 46 CES 2020 Innovation Awards for Outstanding Design and Engineering
    High Bandwidth Memory is Catching on for Data-intensive Computing
    Inside the building blocks of the 5G future
    Samsung’s PM1733 SSD and High Density DIMMs Support AMD EPYC™ 7002 Series Processor
    Unlocking the Power of Cloud Computing
    Mass Production of Fifth-Generation V-NAND has Started
    Samsung Begins Mass Production of Industry’s First 12Gb LPDDR5 Mobile DRAM for Premium Smartphones
    Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards
    Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology
    Samsung Memory Solutions for Automotive
    మీరు కూడా ఆసక్తి కలిగి ఉండవచ్చు
    • KHA844801X-MC12

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    • KHA844801X-MC13

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 1024 2.4 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    • KHA844801X-MN12

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    • K4A4G085WE-BIRC

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

    • K4ABG165WA-MCWE

      Samsung Semiconductor

      32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

    • K4A4G085WE-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

    వేడి భాగాలు